سنسورهای InSb به سنسور HgCdTe ترجیح داده می‌شوند
به دلایل زیر ساختارهای بر پایه InSb بر سایر ساختارها ترجیح داده می‌شوند:
Ø رشد ساده تر
Ø یکنواختی بهتر
Ø موبایلیته الکترون بسیار بالا
Ø رسانندگی حرارتی نسبتا بالا
واژه تراخطینگی برای اولین بار توسط[1] Barrie Gilbert به مفهوم” وابستگی خطی بین ضریب هدایت انتقالی و جریان کلکتور ترانزیستورهای BJT “مطرح شد .این ویژگی به دلیل رابطه رابطه نمایی جریان کلکتور با ولتاژ بیس- امیر ایجاد شد. استفاده نوین از واژه تراخطینگی هنگام به کارگیریMOSFET ها در ناحیه زیر آستانه) (subthreshold است، جایی که درآن MOSFET رفتار نمایی از خود نشان می داد.
به طور دقیق تر یک مدار ترا خطی ، مداری است که در آن از رابطه نمایی بین بعضی از عناصر آن، که به آنها عناصر ترا خطی[1] می گویند، برای به دست آوردن تابع مورد نظر استفاده می کند.
اصل ترا خطی گیلبرت که به عنوان اصل ترا خطی ایستا[2] نیز شناخته می شود ، پایه ای ترین اصل برای پیاده سازی سیستم های بی حافظه یا ایستا می باشد. با استفاده از این اصل ترا خطی، توابع ایستای زیادی همچون ضرب کننده های چهار ربعی[3]، تقسیم کننده های دو ربعی[4]، توابع مثلثاتی و... پیاده سازی شدند.از سویی دیگر مدارات ترا خطی پویا[5]، مدارات ترا خطی ای هستند که شامل خازن های می باشند و لذا می توانند برای پیاده سازی معادلات تفاضلی[6] عام به کار روند.