سنسورهای InSb به سنسور HgCdTe ترجیح داده می‌شوند
به دلایل زیر ساختارهای بر پایه InSb بر سایر ساختارها ترجیح داده می‌شوند:
Ø رشد ساده تر
Ø یکنواختی بهتر
Ø موبایلیته الکترون بسیار بالا
Ø رسانندگی حرارتی نسبتا بالا
سلاممن شنیدم سرعت حرکت الکترون ها و حفره ها برابر نیستدرسته؟چطوری؟با تشکر
سلام
من شنیدم سرعت حرکت الکترون ها و حفره ها برابر نیست
درسته؟
چطوری؟
با تشکر