مقایسه سنسورهای InSb به سنسور HgCdTe برای آشکارسازی مادون قرمز

سنسورهای InSb به سنسور HgCdTe ترجیح داده می‌شوند

به دلایل زیر ساختارهای بر پایه InSb بر سایر ساختارها ترجیح داده می‌شوند:

Ø     رشد ساده تر

Ø     یکنواختی بهتر

Ø     موبایلیته الکترون بسیار بالا

Ø     رسانندگی حرارتی نسبتا بالا

Multiple input translinear element-MITE

واژه تراخطینگی برای اولین بار توسط[1] Barrie Gilbert به مفهوم” وابستگی خطی بین ضریب هدایت انتقالی و جریان کلکتور ترانزیستورهای BJT “مطرح شد .این ویژگی به دلیل رابطه  رابطه نمایی جریان کلکتور با ولتاژ بیس- امیر ایجاد شد. استفاده نوین از واژه تراخطینگی هنگام به کارگیریMOSFET ها در ناحیه زیر آستانه) (subthreshold است، جایی که درآن MOSFET رفتار نمایی از خود نشان می داد.

به طور دقیق تر یک مدار ترا خطی ، مداری است که در آن از رابطه نمایی بین بعضی از عناصر آن، که به آنها عناصر ترا خطی[1] می گویند، برای به دست آوردن تابع مورد نظر استفاده می کند.

اصل ترا خطی گیلبرت که به عنوان اصل ترا خطی ایستا[2] نیز شناخته می شود ، پایه ای ترین اصل برای پیاده سازی سیستم های بی حافظه یا ایستا می باشد. با استفاده از این اصل ترا خطی، توابع ایستای زیادی همچون ضرب کننده های چهار ربعی[3]، تقسیم کننده های دو ربعی[4]، توابع مثلثاتی و... پیاده سازی شدند.از سویی دیگر مدارات ترا خطی پویا[5]، مدارات ترا خطی ای هستند که شامل خازن های می باشند و لذا می توانند برای پیاده سازی معادلات تفاضلی[6] عام به کار روند.

---

[1] translinear elements

[2] static translinear principle

[3]four-quadrant multipliers

[4]two-quadrant dividers

[5]Dynamic translinear circuits

[6]differential equations

اثر فوتوالکتریک

مقدمه:

در سال 1887 هانریش هرتز در حین انجام آزمایشی متوجه شد که تاباندن نور با طول موج‌های کوتاه مانند امواج فرابنفش به کلاهک فلزی یک الکتروسکوپ که دارای بار الکتریکی منفی است ، باعث تخلیه الکتریکی الکتروسکوپ می‌شود . وی با انجام آزمایش‌های بعدی نشان داد که تخلیه الکتروسکوپ به خاطر جدا شدن الکترون از سطح کلاهک فلزی آن است . این پدیده را فتوالکتریک می‌نامند . نخستین برخوردها برای توجیه اثر فوتوالکتریک از دیدگاه الکترومغناطیس کلاسیک صورت گرفت که توانایی توجیه آن را نداشت . سپس انیشتین این پدیده را با توجه به دیدگاه کوانتومی پلانک توجیه کرد.

تعریف ساده برای اثر فوتوالکتریک:

اگر یک صفحه فلزی را تحت تابش امواج پر انرژی قرار دهیم، پرتو کاتدی و یا الکترونهای شتابدار از صفحه فلزی منتشر می‌شود. و همچنین اگر بین دو صفحه فلزی اختلاف پتانسیل الکتریکی ایجاد کنیم، الکترونهای لایه ظرفیت اتمهای فلز ، انرژی دریافت می‌کنند و در نتیجه سطح فلز را ترک می‌کنند و به سمت آند پیش می‌روند. در این عمل چون هم نور و الکتریسیته دخالت دارند به این پدیده ، اثر فوتو الکتریک می‌گویند. در واقع تمام مواد (جامد ، مایع و گاز) می‌توانند در شرایط خاصی تحت تأثیر اثر فوتوالکتریک ، پرتو کاتدی ) فتوالکترون( از خود گسیل کنند.